类型：瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array）
　　通道数：2
　　工作电压（VRWM）：5.0V
　　击穿电压（VBR）：最小6.4V，典型7.1V
　　最大钳位电压（VC @ IPP）：13.0V（IPP = 1A）
　　峰值脉冲电流（IPP）：1.0A（单次脉冲）
　　结电容（Cj）：典型值0.8pF（@ 0V, 1MHz）
　　ESD 耐受能力：±15kV（接触放电，IEC 61000-4-2 Level 4）
　　反向漏电流（IR）：最大1μA @ VRWM
　　封装类型：DFN（双扁平无引脚）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C

K2-UNAT+ 的核心特性之一是其超低的结电容，典型值仅为0.8pF，这一特性使其特别适用于高速信号线路的保护。在现代电子系统中，随着数据传输速率的不断提升（如USB 2.0、HDMI、MIPI等接口），传统保护器件由于寄生电容过大容易引起信号完整性下降，导致误码率升高甚至通信失败。而K2-UNAT+凭借其极低的电容特性，能够在不影响信号质量的前提下提供有效的瞬态抑制功能，保证系统的稳定性和可靠性。
　　另一个显著特点是其强大的ESD防护能力。根据IEC 61000-4-2国际标准，K2-UNAT+可承受高达±15kV的接触放电和±18kV的空气放电，达到最高防护等级Level 4。这意味着即使在恶劣的电磁环境中，例如频繁插拔连接器或人体直接接触接口端口的情况下，该器件仍能可靠地吸收并泄放静电能量，避免后级芯片受损。这对于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等人机交互频繁的产品尤为重要。
　　该器件还具备优异的响应速度和钳位性能。TVS二极管在检测到瞬态过压后的响应时间通常小于1纳秒，远快于传统的热敏电阻或多层压敏陶瓷器件。一旦发生ESD或EFT事件，K2-UNAT+能迅速进入雪崩导通状态，将瞬态电压钳制在13V以下（对应1A峰值电流），从而确保被保护电路始终处于安全工作区。同时，其低动态电阻特性有助于进一步降低钳位电压，提升整体保护效率。
　　从结构设计上看，K2-UNAT+采用双通道配置，支持双向保护模式，适合差分信号对或独立信号线的联合防护。每个通道均可独立工作，互不干扰，提高了布线灵活性。其DFN封装不仅体积小巧（典型尺寸约1mm x 1.6mm x 0.5mm），而且具有良好的热传导性能和机械稳定性，适应回流焊工艺要求，符合RoHS环保规范，适合大规模自动化生产应用。

K2-UNAT+ 广泛应用于各类需要高等级静电放电保护的电子设备中，尤其适用于高速数据接口的瞬态电压抑制。在便携式消费电子产品中，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑，它常用于保护USB接口（包括USB Type-A、Micro-USB、USB Type-C）、音频插孔、HDMI输出端口以及SIM卡和存储卡（SD/MMC）插槽等易受ESD影响的外露连接器。这些接口经常暴露在用户操作环境中，极易受到人体静电放电的影响，因此必须配备高效可靠的TVS保护器件以延长产品寿命。
　　在通信设备领域，K2-UNAT+可用于以太网PHY接口、RS-232/RS-485串行通信线路、CAN总线节点以及其他工业通信模块中的信号线保护。尽管这些接口的工作速率相对较低，但在工业现场或户外部署时可能遭遇雷击感应或电源耦合引起的瞬态干扰，K2-UNAT+能够有效吸收此类能量脉冲，防止通信中断或控制器损坏。
　　此外，在汽车电子系统中，虽然K2-UNAT+并非专为车规级认证设计，但其性能表现使其可应用于部分车载信息娱乐系统（Infotainment）中的辅助接口保护，例如后排乘客使用的USB充电/数据端口或后排显示屏的控制信号线。只要系统工作电压不超过其额定范围且环境温度在允许区间内，该器件即可发挥良好保护作用。
　　在工业控制与测量仪器中，K2-UNAT+也适用于PLC输入输出模块、传感器信号调理电路、触摸屏控制器与主控之间的连接线路等场景。这些系统往往运行在电磁环境复杂的工厂或户外场所，存在较多电气噪声源，使用K2-UNAT+可以显著提高系统的抗扰度和长期运行稳定性。

RCLAMP0524P