类型：LPDDR3 SDRAM
　　容量：64Gbit (8GB)
　　组织结构：4x16Gb
　　数据位宽：16位
　　工作电压：核心1.2V，I/O 1.8V
　　最大数据速率：1400Mbps
　　时钟频率：700MHz
　　封装类型：BGA
　　温度范围：商业级（0°C 至 +70°C）
　　刷新模式：自动/自刷新
　　突发长度：BL8, BC4+BL4
　　CAS延迟：CL9, CL10, CL11可配置
　　功耗特性：支持深度掉电模式、温度补偿自刷新(TCSR)

K1S64161CD-BI70T00作为一款高端LPDDR3内存芯片，具备多项先进的技术特性以满足现代移动设备对性能与能效的严苛要求。首先，其高达1400Mbps的数据传输速率使得系统能够快速响应用户操作，在多任务并行处理时依然保持流畅体验。通过支持双倍数据率（DDR）技术，该芯片在每个时钟周期的上升沿和下降沿均可传输数据，显著提升了有效带宽。同时，其内部采用4个独立的16Gb存储阵列构成64Gb总容量，支持交错式存取操作，进一步优化了读写效率与延迟表现。
　　其次，该芯片集成了多种低功耗管理机制，包括自动刷新、自刷新、部分阵列自刷新（PASR）以及深度掉电模式（Deep Power-Down Mode），可根据系统负载动态调整功耗状态。例如，在屏幕关闭或待机状态下，控制器可触发自刷新模式，仅维持基本的数据保持功能，大幅降低电流消耗。此外，温度补偿自刷新（TCSR）功能可根据环境温度自动调节刷新周期，在高温环境下增加刷新频率以保证数据完整性，而在低温下则减少刷新次数以节省电力。
　　在信号完整性与稳定性方面，K1S64161CD-BI70T00采用了阻抗匹配设计、片上终端（ODT）以及差分时钟输入结构，有效抑制了高频下的信号反射与时序偏移问题，确保在高负载条件下仍能稳定运行。其BGA封装具有优良的散热性能和机械可靠性，适用于小型化且高振动环境下的应用。另外，该器件完全兼容JEDEC LPDDR3标准，便于与其他主控芯片（如应用处理器）无缝对接，并支持多种封装堆叠方式（Package-on-Package, PoP），可在有限空间内实现处理器与内存的垂直集成，提升整体系统集成度。

K1S64161CD-BI70T00主要面向高性能移动计算和消费类电子产品领域。其典型应用场景包括旗舰级智能手机和平板电脑，用于支撑Android或iOS操作系统下的多任务处理、大型游戏运行、4K视频录制与播放等功能。由于其高带宽和低延迟特性，该芯片特别适合搭配高性能应用处理器（如三星Exynos系列、高通Snapdragon 800系列或联发科天玑高端型号）使用，构成完整的移动计算平台。
　　此外，该器件也广泛应用于便携式媒体播放器、智能手表（尤其是支持eSIM和独立运算功能的型号）、车载信息娱乐系统（IVI）以及工业级手持终端设备中。在这些应用中，它不仅承担着程序代码加载和运行内存的角色，还负责图像帧缓冲、传感器数据缓存以及网络数据包暂存等关键任务。得益于其低功耗设计，K1S64161CD-BI70T00在电池供电设备中表现出优异的能源利用效率，有助于延长设备的待机与使用时间。
　　在嵌入式系统和物联网（IoT）网关设备中，该芯片也可作为主内存模块，支持Linux或实时操作系统（RTOS）的高效运行。特别是在需要处理大量并发连接或多路音视频流的边缘计算设备中，其大容量和高速访问能力显得尤为重要。此外，由于其符合RoHS环保标准并具备良好的温度适应性，该芯片也可部署于工业控制、医疗监测设备及航空电子系统等对可靠性和安全性要求较高的专业领域。

K1S64161CB-BI70T00
　　K1S64161CE-BI70T00
　　MT53D1G16D4DS-140 AAT:D9MCF
　　EM5AB16ED5NM-70E