时间：2025/8/9 7:59:18
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K1945-01S是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，主要用于高频率开关应用，如DC-DC转换器、电源管理和电机控制。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热性能，使其在高效率和高密度电源设计中非常受欢迎。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：900V
最大漏极电流（Id）：3.5A（连续）
导通电阻（Rds(on)）：约2.2Ω（典型值）
栅极电荷（Qg）：19nC（典型值）
最大功耗（Pd）：50W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
K1945-01S MOSFET具备多项显著特性。其高耐压能力（900V Vds）使其适用于高电压应用，例如工业电源和高压直流系统。此外，该器件的低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高整体能效。栅极电荷（Qg）较低，意味着更快的开关速度和较低的开关损耗，这对于高频开关应用尤为重要。同时，该MOSFET采用TO-220封装，具有良好的散热性能，能够有效处理高功率负载。其热阻（Rth）较低，确保了在高电流条件下的稳定运行。此外，该器件的工作温度范围较宽（-55°C至150°C），适用于各种严苛环境条件下的应用。
K1945-01S MOSFET广泛应用于多种电力电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、马达驱动器、电池管理系统和工业自动化设备。由于其高电压耐受能力和高效率特性，该器件特别适用于需要高压输入和高能量转换效率的场合，例如光伏逆变器、工业电机控制和高功率LED照明系统。此外，它还可用于消费类电子产品中的电源管理电路，以提高能效和可靠性。
K1945-01S的替代型号包括K2225、K1513、K2647、K1973和K1317。这些MOSFET在某些电气特性或封装形式上有所不同，但在许多应用中可以作为替代方案使用。
