H5TC2G63FFR-PBR 时间：2025/9/2 9:48:58 阅读：19

H5TC2G63FFR-PBR 是由SK Hynix生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高性能存储器产品系列。该芯片采用先进的制造工艺，提供了较高的存储密度和较快的数据访问速度，适用于需要大量数据处理和存储的应用场景。该封装形式为FBGA，具有较好的散热性能和稳定性，适合在复杂电子系统中使用。

参数

容量：2Gb
　　类型：DRAM
　　组织结构：x64
　　封装类型：FBGA
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　电源电压：1.35V至1.5V
　　最大时钟频率：800MHz
　　数据传输速率：1600Mbps

特性

H5TC2G63FFR-PBR 具备低功耗设计，能够在保证高性能的同时降低能耗，适合便携式设备和嵌入式系统使用。
　　该芯片支持自动刷新和自刷新模式，确保数据在断电情况下不会丢失，提高了存储可靠性。
　　其高频率操作能力使得该芯片能够满足高速数据传输需求，适用于现代通信设备和计算平台。
　　此外，H5TC2G63FFR-PBR 采用先进的封装技术，具有良好的电气性能和抗干扰能力，确保在复杂电磁环境中稳定工作。
　　该芯片还支持多种工作模式，包括突发模式和低功耗模式，用户可以根据应用需求灵活配置。

应用

H5TC2G63FFR-PBR 通常用于高性能计算设备、网络设备、工业控制系统、汽车电子系统以及消费类电子产品。在服务器和工作站中，该芯片可以作为主存储器使用，提升系统运行速度和数据处理能力。
　　在通信设备中，如路由器和交换机，它能够提供高速缓存支持，确保数据快速传输和处理。
　　此外，该芯片也广泛应用于智能电视、游戏机和高端移动设备中，以满足这些设备对大容量和高速存储的需求。