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H5TC2G63FFR-PBR 发布时间 时间:2025/9/2 9:48:58 查看 阅读:9

H5TC2G63FFR-PBR 是由SK Hynix生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高性能存储器产品系列。该芯片采用先进的制造工艺,提供了较高的存储密度和较快的数据访问速度,适用于需要大量数据处理和存储的应用场景。该封装形式为FBGA,具有较好的散热性能和稳定性,适合在复杂电子系统中使用。

参数

容量:2Gb
  类型:DRAM
  组织结构:x64
  封装类型:FBGA
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  电源电压:1.35V至1.5V
  最大时钟频率:800MHz
  数据传输速率:1600Mbps

特性

H5TC2G63FFR-PBR 具备低功耗设计,能够在保证高性能的同时降低能耗,适合便携式设备和嵌入式系统使用。
  该芯片支持自动刷新和自刷新模式,确保数据在断电情况下不会丢失,提高了存储可靠性。
  其高频率操作能力使得该芯片能够满足高速数据传输需求,适用于现代通信设备和计算平台。
  此外,H5TC2G63FFR-PBR 采用先进的封装技术,具有良好的电气性能和抗干扰能力,确保在复杂电磁环境中稳定工作。
  该芯片还支持多种工作模式,包括突发模式和低功耗模式,用户可以根据应用需求灵活配置。

应用

H5TC2G63FFR-PBR 通常用于高性能计算设备、网络设备、工业控制系统、汽车电子系统以及消费类电子产品。在服务器和工作站中,该芯片可以作为主存储器使用,提升系统运行速度和数据处理能力。
  在通信设备中,如路由器和交换机,它能够提供高速缓存支持,确保数据快速传输和处理。
  此外,该芯片也广泛应用于智能电视、游戏机和高端移动设备中,以满足这些设备对大容量和高速存储的需求。

替代型号

H5TC2G63CFR-PBA, H5TC2G63FFR-PBA, H5TC2G63EFR-PBR

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