类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：900 V
　　最大漏极电流（Id）：4.5 A
　　导通电阻（Rds(on)）：约 3.5 Ω（典型值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：约 5 - 7 V
　　最大功耗（Ptot）：约 150 W
　　封装形式：TO-220
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　栅极电荷（Qg）：约 60 nC
　　输入电容（Ciss）：约 1100 pF

K1655具备出色的高压阻断能力，其最大漏源电压可达900V，这使得它非常适合用于高压开关电源和离线式变换器中，尤其是在没有复杂有源钳位或软开关技术的硬开关拓扑结构中表现稳定。该MOSFET能够在高电压条件下保持较低的漏电流，从而减少静态功耗并提升系统的待机效率。同时，其漏极与源极之间的击穿电压具有较高的安全裕度，能够承受瞬时过压脉冲，增强了在电网波动或负载突变情况下的可靠性。
　　该器件的导通电阻虽然相较于现代超结MOSFET偏高（典型值约为3.5Ω），但在同代产品中仍属于可接受范围，尤其考虑到其高达900V的耐压水平。这种折衷设计使其在成本敏感型工业应用中具有一定优势。此外，K1655的热稳定性良好，在结温升高的情况下，其电气参数漂移较小，能够在长时间满负荷运行中维持性能一致性。
　　在开关特性方面，K1655具有适中的栅极电荷（Qg ≈ 60nC）和输入电容（Ciss ≈ 1100pF），这意味着它可以使用标准的驱动电路进行控制，而不需要特别复杂的栅极驱动芯片。这对于简化电源设计、降低系统成本非常有利。同时，较低的输出电容（Crss）减少了关断过程中的能量损耗，提升了高频工作的可行性。
　　该器件采用TO-220封装，具备良好的散热能力，可通过加装散热片进一步提升功率处理能力。其机械结构坚固，引脚间距合理，便于手工焊接和自动化装配。此外，K1655符合工业级环境适应性要求，可在-55°C至+150°C的宽温度范围内正常工作，适用于严苛的工业现场或户外设备环境。
　　值得注意的是，K1655在数据手册中标明了严格的栅极驱动电压范围，通常建议工作在10V至15V之间以确保充分导通，避免因欠驱动导致的发热问题。同时，必须采取适当的保护措施，如添加栅极电阻、TVS二极管等，防止静电放电（ESD）或电压尖峰损坏器件。

K1655广泛应用于各类高压开关电源系统中，特别是在基于反激（Flyback）、正激（Forward）或半桥拓扑结构的离线式AC-DC转换器中作为主开关管使用。这类电源常见于工业仪表、通信基站、医疗设备以及老旧型号的服务器电源模块中。由于其900V的高耐压能力，K1655特别适合用于输入电压波动较大的地区，例如未经稳压处理的市电直接整流后供电的场合，能够有效应对峰值电压超过600V的情况。
　　在DC-DC变换器领域，K1655可用于升压（Boost）或降压-升压（Buck-Boost）拓扑中，特别是在输入电压较低但需要输出数百伏高压的特种电源设计中发挥重要作用。例如，在某些激光驱动电源、光电倍增管供电单元或小型X射线发生器中，K1655作为能量存储阶段的开关元件，承担着周期性储能与释放的任务。
　　此外，该器件也常用于逆变器系统中，尤其是在低频方波或修正弦波逆变器中作为桥臂开关使用。此类逆变器多见于早期的太阳能发电系统、车载电源或应急照明设备中。K1655的高耐压和较强抗浪涌能力使其在启动瞬间或短路故障时表现出较好的鲁棒性。
　　在电机控制方面，尽管K1655并非专为PWM高速切换优化，但仍可用于低频调速或启停控制场景，例如小型单相感应电机或步进电机的驱动电路中。特别是在对成本控制严格且性能要求不极端的应用中，K1655提供了一种经济可靠的解决方案。
　　最后，在一些维修替换场景中，K1655也被用于替换其他停产的高压MOSFET型号，只要电气参数匹配且封装一致，即可实现功能恢复。因此，它在设备维护和备件供应中仍具实用价值。

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　　 "STP9NK90ZFP",
　　 "STP8NK90Z",
　　 "2SK2542",
　　 "2SK2030",
　　 "BUK456-900A"
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