K1280 时间：2025/8/9 12:12:53 阅读：27

K1280是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，适用于如开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、负载开关和马达控制等高功率场景。K1280采用TO-220封装形式，具有较高的耐用性和良好的散热性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：900V
　　最大漏极电流(ID)：12A（连续）
　　最大栅源电压(VGS)：±30V
　　导通电阻(RDS(on))：典型值为0.55Ω
　　最大功率耗散(PD)：100W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

特性

K1280 MOSFET具有多项优越的电气和物理特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其高漏源击穿电压（900V）使得该器件适用于高电压操作环境，具有良好的耐压能力，防止因电压突变导致的损坏。其次，K1280的导通电阻较低，典型值为0.55Ω，这意味着在导通状态下其功耗较小，有助于提高系统效率并减少散热需求。
　　该器件的连续漏极电流可达12A，使其适用于中高功率的负载控制。此外，K1280采用了TO-220封装，这种封装形式具有良好的散热性能，能有效将热量传导到散热片或PCB上，从而提升器件的稳定性和寿命。
　　K1280还具备较高的栅源电压耐受能力（±30V），提高了其在复杂驱动环境中的可靠性，避免因驱动电路异常导致的栅极击穿。同时，其宽工作温度范围（-55°C至+150°C）使其适用于各种恶劣环境条件，包括工业控制、汽车电子和消费类电源设备。
　　在动态性能方面，K1280具有较快的开关速度，能够适应高频开关应用，从而减小外围元件的尺寸并提高整体系统的响应速度。这使得它在DC-DC转换器、AC-DC电源适配器和负载开关等应用中具有显著优势。

应用

K1280 MOSFET因其高耐压、低导通电阻和良好的热性能，广泛应用于多个领域。在电源管理系统中，常用于开关电源（SMPS）、AC-DC适配器和DC-DC转换器的主开关器件，以提高效率和减小体积。在工业自动化控制中，K1280可用于驱动电机、继电器和电磁阀等负载，其高电流承载能力确保了系统的稳定性。
　　此外，K1280还适用于LED照明驱动、电池管理系统（BMS）中的负载切换，以及各类逆变器和电源逆变系统。在消费电子产品中，如电视电源、音响设备和智能家电，K1280也常被用作关键的功率开关器件。