时间：2025/8/6 1:56:59
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IXKG25N80C是一款由IXYS公司制造的N沟道MOSFET功率晶体管。该器件设计用于高功率开关应用，如电源转换器、电机控制、照明系统和逆变器等。这款MOSFET具备高耐压和高电流能力，适用于要求高效能和高可靠性的系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：800V
连续漏极电流(Id)：25A（在25°C时）
导通电阻(Rds(on))：0.24Ω（最大）
封装类型：TO-247
功率耗散(Pd)：200W
工作温度范围：-55°C至150°C
栅极电荷(Qg)：63nC（典型值）
输入电容(Ciss)：1100pF（典型值）
IXKG25N80C具有低导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其高耐压能力（800V）使其适用于高电压应用，如工业电源和高压逆变器。该器件的封装形式为TO-247，具备良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
此外，IXKG25N80C具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态条件下提供额外的可靠性。该MOSFET的栅极驱动要求较低，便于与标准驱动电路兼容。其快速开关特性有助于减少开关损耗，从而提升整体系统性能。
该器件还具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定工作。其设计符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子设备。
IXKG25N80C广泛应用于各类高功率开关电路中。常见用途包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、照明镇流器、逆变器以及工业自动化控制系统。在这些应用中，该MOSFET能够提供高效的功率控制，并确保系统的可靠运行。
IXFH24N80Q, IRFP840, FCP800S
