时间：2025/7/22 11:02:18
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JXG53P2 是一款由国产厂商生产的高性能、低功耗的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关以及各类功率控制电路中。该器件采用先进的沟槽式技术制造，具备优异的导通电阻（Rds(on)）特性和快速开关性能，适用于中高功率应用场合。JXG53P2通常采用TO-252（DPAK）或类似的表面贴装封装，便于散热和集成。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：30A
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：@Vgs=10V时，≤8.5mΩ；@Vgs=4.5V时，≤12mΩ
功率耗散（Pd）：100W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-252（DPAK）
JXG53P2 MOSFET具有多项优异的电气和热性能特性。首先，其极低的导通电阻有助于减少导通损耗，提高整体系统效率，尤其适用于高电流应用如同步整流和负载开关。其次，该器件具备高耐压能力，最大漏源电压为30V，能够承受一定的电压波动，提高系统的稳定性和可靠性。
此外，JXG53P2采用了先进的封装技术，具有良好的散热性能，确保在高功率密度设计中依然保持较低的工作温度。其快速开关特性也使其适用于高频开关电路，从而减小外围电感和电容的尺寸，提升整体系统的小型化水平。
该MOSFET还具备较高的抗雪崩能力和热稳定性，能够在严苛的工作环境下保持良好的性能。栅极驱动电压范围较宽（可支持4.5V至10V），兼容多种驱动电路设计，便于工程师灵活应用。
JXG53P2 MOSFET主要应用于各种电源管理领域，包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池充放电管理、负载开关控制、电机驱动电路、LED照明电源、工业自动化设备以及各类便携式电子产品。由于其高效率和低导通损耗的特性，它在需要高功率密度和高可靠性的系统中尤为适用，例如通信设备、服务器电源模块、电动车控制器和智能家电等场景。
SiR3442DP-T1-GE3, FDS6680, AO4406, IPD90P03P4-03
