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GA1206Y334MXXBR31G 发布时间 时间:2025/5/27 16:58:30 查看 阅读:11

GA1206Y334MXXBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该芯片采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统的效率和稳定性。
  这款器件在设计上注重了散热性能和可靠性,适合在高电流和高电压环境下工作。其封装形式经过优化,可以有效降低寄生电感的影响,从而提升整体性能。

参数

型号:GA1206Y334MXXBR31G
  类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):120V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):60A
  导通电阻(Rds(on)):3.4mΩ(典型值,@Vgs=10V)
  总功耗(Ptot):310W
  结温范围(Tj):-55℃至+175℃
  封装形式:TO-247-3

特性

GA1206Y334MXXBR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关速度,有助于降低开关损耗并支持高频操作。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  4. 内置静电保护功能,提高了器件在实际应用中的可靠性。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
  6. 优化的热阻设计,确保长时间工作的稳定性和高效散热性能。
  7. 小型化封装结合低寄生电感,使其非常适合高密度电路设计。
  8. 广泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境下的应用需求。

应用

GA1206Y334MXXBR31G 可用于以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS) 中的主开关管或同步整流管。
  2. 电机驱动器中的逆变桥臂开关。
  3. DC-DC 转换器中的功率开关。
  4. 太阳能逆变器中的功率模块。
  5. 电动汽车(EV) 或混合动力汽车(HEV) 的电池管理系统(BMS) 和电机控制器。
  6. 工业自动化设备中的负载切换控制。
  7. LED 驱动器中的功率调节单元。
  8. 其他需要高效率、高可靠性的功率电子设备中。

替代型号

GA1206Y334MXXBR29G, IRFZ44N, FDP5500

GA1206Y334MXXBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.33 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-