时间：2025/9/2 17:20:10
阅读：24
JX2N725是一款常用的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、功率放大器以及开关电路等领域。该器件采用TO-92或TO-220封装，具备较高的开关速度和较低的导通电阻，适用于中高功率应用场合。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：100mA
最大漏源电压（VDS）：450V
最大栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on))：约0.3Ω
功耗（PD）：典型值100mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
JX2N725具有较高的耐压能力和较低的漏电流，适用于高电压开关应用。其栅极驱动简单，支持快速开关操作，从而减少开关损耗。此外，该器件具备良好的热稳定性和可靠性，能够在较高温度环境下稳定工作。由于其较小的封装体积，JX2N725在空间受限的电路设计中也具有较好的适应性。
在实际应用中，JX2N725通常用于小功率开关、高压侧负载控制、继电器替代以及LED驱动等场景。此外，其良好的线性特性也使其适用于模拟信号处理和低功率放大电路。
JX2N725适用于多种电子设备和系统，包括电源适配器、LED照明驱动电路、小型电机控制、电子继电器、自动控制系统以及消费类电子产品中的功率管理模块。
2N725, 2N726, JX2N726
