JX2N6798 时间：2025/8/24 22:32:04 阅读：5

JX2N6798 是一款N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛用于需要高效率和高性能的电源管理系统中。该器件采用先进的平面技术，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）以及电池充电器等多种应用。JX2N6798 提供了良好的热稳定性和高可靠性，是工业级应用中常用的功率MOSFET之一。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大漏极电流（Id）：12A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.33Ω
　　功耗（Pd）：75W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

特性

JX2N6798 具备一系列出色的电气和热性能，使其在高功率应用中表现出色。其导通电阻较低，可减少功率损耗并提高整体效率，适用于高频率开关应用。该器件具有较高的电流处理能力，能够承受较大的负载电流，同时保持较低的温升，从而提高系统的稳定性。
　　此外，JX2N6798 的封装设计优化了散热性能，确保在高功率条件下仍能保持良好的热管理。其TO-220封装形式适用于多种电路板布局，并具备良好的机械稳定性和耐用性。
　　在可靠性方面，JX2N6798 采用了先进的制造工艺，具有较高的耐久性和长期稳定性，能够在恶劣的环境条件下正常工作。其宽广的工作温度范围使其适用于工业控制、电源管理和电机驱动等严苛环境中的应用。