JX2N6788 是一款常见的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和功率开关电路中。该器件采用先进的工艺制造,具有较高的开关速度、低导通电阻以及良好的热稳定性,适用于各种中高功率电子系统。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):500V
栅源电压(Vgs):±30V
连续漏极电流(Id):12A(Tc=25℃)
功耗(Pd):125W
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
封装形式:TO-220、TO-262、TO-251等
导通电阻(Rds(on)):典型值0.45Ω @ Vgs=10V
开启阈值电压(Vgs(th)):2V ~ 4V
JX2N6788 具备多项优良的电气特性,首先其高耐压能力达到500V,使得它适用于多种高压开关应用。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少导通状态下的功率损耗,提高系统效率。此外,该器件具有较强的电流承载能力,在适当的散热条件下可支持高达12A的连续漏极电流。
在动态性能方面,JX2N6788 具有较快的开关速度,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器、电机控制和电源开关等。同时,其栅极电荷(Qg)较低,有助于降低驱动损耗,提高整体系统效率。
该MOSFET还具备良好的热稳定性和过温保护能力,能够在较高温度环境下稳定工作。其多种封装形式(如TO-220和TO-262)适用于不同的电路板布局和散热需求,增强了其在工业和消费类电子产品中的适应性。
JX2N6788 主要应用于电源管理、开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动电路、LED照明驱动、电池管理系统(BMS)、逆变器、UPS不间断电源、工业控制设备以及各种需要高压开关功能的电子系统中。由于其高可靠性和良好的性能,它也常用于家电、通信设备和自动化控制领域。
2N6788, FQP12N50, IRFBC40, STP12N50, FQA12N50