时间：2025/6/3 20:21:00
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IGW30N65L5 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的 TRENCHSTOP? 技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效率、高频开关应用。其耐压值为 650V，持续漏极电流为 30A（在 25°C 下），能够满足工业和汽车领域对高压功率转换的严格要求。
IGW30N65L5 使用 TO-247 封装形式，便于散热和安装，适合各种高功率密度设计场景。
最大漏源电压：650V
最大连续漏极电流：30A
导通电阻（典型值）：150mΩ
栅极电荷（典型值）：85nC
输入电容（典型值）：1650pF
最大功耗：314W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247
IGW30N65L5 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度和低栅极电荷，能够降低开关损耗。
3. 内置反向恢复二极管，具备快速恢复时间和低反向恢复电荷，非常适合硬开关应用。
4. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子设计中。
5. 高雪崩能力，确保在过载或短路情况下具有更高的可靠性。
6. 优化的热性能设计，可有效管理器件运行时的温度。
7. 耐受能力强，支持高 dv/dt 和 di/dt 环境下的稳定运行。
IGW30N65L5 广泛应用于以下领域：
1. 工业电源和 UPS 系统中的逆变器和整流器。
2. 太阳能逆变器的核心功率转换模块。
3. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器的设计。
4. 电机驱动和控制电路中的功率级组件。
5. 电动汽车充电站及车载充电器的关键元件。
6. 各种需要高效功率管理的工业自动化设备。
IGBT30N65C5H, IRFP460, FGA25N65SMD
