类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：9A
　　最大漏源电压（VDS）：200V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.45Ω（典型值）
　　最大功耗（PD）：83W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

JX2N6321 具备一系列优异的电气和热性能特性。其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。在200V漏源电压下，该器件可承受高达9A的连续漏极电流，适用于中高功率级别的应用。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，最大功耗可达83W，得益于其TO-220封装设计，具有良好的散热能力，适合高电流工作环境。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持±30V，使其能够与多种控制电路兼容。JX2N6321 在工作温度范围上表现优异，可在-55°C至+150°C之间稳定工作，适应多种复杂环境。该器件的平面技术制造工艺确保了其高可靠性和长寿命，适用于工业级应用。
　　由于其N沟道结构特性，JX2N6321 在开启状态下具有较高的电子迁移率，从而实现快速开关响应，适用于高频开关应用。此外，该MOSFET具有较高的短路耐受能力，在突发高电流情况下仍能保持稳定工作。

JX2N6321 主要应用于各类功率电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、充电器和功率放大器。由于其高耐压和较大电流承载能力，该器件广泛用于工业自动化设备、电动汽车电控系统、太阳能逆变器以及家电控制电路中。
　　在电源管理系统中，JX2N6321 可作为主开关元件用于高效能转换器中，实现稳定的电压和电流调节。在电机控制领域，该MOSFET可用于H桥电路，实现对直流电机或步进电机的方向和速度控制。此外，该器件还可用于LED照明驱动电路、电池管理系统（BMS）以及各类功率负载的开关控制。
　　由于其高可靠性和良好的热稳定性，JX2N6321 也常用于需要长时间连续运行的工业设备中，如自动化生产线、UPS不间断电源、工业电源模块等。

2N6321, IRF740, IRF840, FQP9N20C