类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压(Vdss)：200V
　　最大源极电压(Vgss)：±30V
　　最大连续漏极电流(Id)：10A
　　最大功率耗散(Pd)：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

JX2N6276 具有以下主要特性：
　　1. 高电压耐受能力：JX2N6276 的最大漏极电压（Vdss）为200V，使其适用于需要高压工作的电源电路和功率放大器设计。
　　2. 高电流承载能力：该MOSFET的最大连续漏极电流（Id）为10A，能够在高负载条件下稳定工作。
　　3. 低导通电阻（Rds(on)）：JX2N6276 在导通状态下的电阻较低，有助于降低功率损耗并提高整体系统效率。
　　4. 优异的热性能：该器件采用标准TO-220封装，具备良好的散热能力，能够承受较高的功耗（最大125W），适用于高温环境下的长期运行。
　　5. 高可靠性：其设计支持宽范围的工作温度（-55°C 至 +150°C），确保了在极端条件下的稳定性。
　　6. 通用性和兼容性：JX2N6276 通常用于电源开关、DC-DC转换器、电机驱动器、照明系统等应用领域。

JX2N6276 的应用主要包括：
　　1. 开关电源（SMPS）：由于其高电压和电流能力，JX2N6276 适用于开关电源的设计，能够有效提升电源转换效率。
　　2. 电机驱动：该MOSFET可用于直流电机控制电路中，提供高效的功率控制。
　　3. 逆变器和UPS系统：在不间断电源（UPS）和逆变器应用中，JX2N6276 的高可靠性和热性能使其成为理想选择。
　　4. 照明设备：JX2N6276 也常用于LED驱动电源和高强度放电灯（HID）控制电路。
　　5. 电池管理系统：作为功率开关器件，JX2N6276 可用于电池充放电管理电路中，确保系统的高效运行。

2N6276, IRF840, IRF2804, FDPF2827K