时间：2025/9/2 16:04:26
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JX2N5471 是一款由JX（品牌）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频率开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力等特点，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等领域。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS)：60V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：10A
导通电阻(RDS(on))：≤0.3Ω
功耗(PD)：30W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220
JX2N5471 采用先进的功率MOSFET工艺制造，具有优异的电气性能和可靠性。
其低导通电阻(RDS(on))可显著降低在高电流应用中的功率损耗，提高系统效率。
高达60V的漏源电压(VDS)和±20V的栅源电压(VGS)使其能够承受较高的电压应力，适用于多种中高压应用场景。
器件的连续漏极电流为10A，适用于中高功率的负载控制和开关电源应用。
该MOSFET采用TO-220封装，具有良好的散热性能，能够在较高功耗下稳定运行。
此外，JX2N5471的封装设计便于安装和散热片连接，提高了在工业环境中的适用性。
JX2N5471 主要应用于以下领域：
电源管理：如DC-DC转换器、电池充电器和稳压电源，利用其低导通电阻和高效率特性来提高系统能效。
负载开关：用于控制电机、继电器或大功率LED的开关操作，实现快速响应和高效能管理。
电机控制：适用于小型电机驱动电路，提供稳定可靠的高电流切换能力。
工业自动化：作为高频率开关元件，用于PLC、变频器和工业电源模块等设备中。
消费类电子产品：如电源适配器、智能家电和电动工具中，满足高可靠性与高效率的要求。
2N5471, IRF540N, FQP10N60C
