时间：2025/7/23 7:02:45
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17N80是一种N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于各种电源转换、开关电源（SMPS）、电机控制和负载管理等电路中。这款MOSFET以其高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性而著称，适合中高功率应用。17N80通常采用TO-220或DPAK等封装形式，便于安装和散热。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：17A
最大漏源电压（VDS）：800V
导通电阻（RDS(on)）：约0.28Ω（典型值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
最大功耗（PD）：50W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220、DPAK等
17N80的主要特性之一是其高耐压能力，能够承受高达800V的漏源电压，这使其非常适合用于高电压输入的应用，如AC-DC转换器和离线电源。其导通电阻约为0.28Ω，在额定电流下能够有效减少导通损耗，提高系统效率。
此外，17N80具有良好的热稳定性，能够在较高的温度环境下稳定工作，确保长时间运行的可靠性。其栅极阈值电压在2V至4V之间，兼容大多数标准逻辑电平驱动电路，简化了驱动电路的设计。
该MOSFET还具备较高的开关速度，适用于高频开关应用，有助于减小电源系统的体积和重量。同时，其封装形式（如TO-220）提供了良好的散热性能，确保在高功率应用中不会因过热而导致性能下降。
17N80常用于开关电源（SMPS）、LED驱动电源、电机驱动电路、UPS不间断电源、电池充电器以及各种功率控制设备中。其高耐压和较大的电流承载能力使其成为工业电源和消费类电子产品中的理想选择。此外，17N80也广泛应用于电力电子变换器、DC-AC逆变器和负载开关电路中。
18N80, 20N80, FQA16N80
