类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：100V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：28A
　　导通电阻(Rds(on))：约0.085Ω（典型值）
　　功率耗散(Pd)：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220

JX2N5408 MOSFET 具备优异的导通和开关性能，适用于多种功率控制场景。其导通电阻较低，有助于减少功率损耗，提高系统效率。此外，该器件的最大漏极电流高达28A，能够在高负载条件下稳定工作。JX2N5408 的最大漏源电压为100V，可适用于中高压应用，例如DC-DC转换器、马达驱动器和电源管理系统。该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高温环境下运行，适合工业级应用要求。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，一般在10V至20V之间，确保了在不同驱动电路中的兼容性。同时，JX2N5408 的封装设计便于散热，提高了器件的可靠性和寿命。其TO-220封装也方便焊接和安装，适合于多种电路板布局需求。
　　JX2N5408 还具有快速开关能力，降低了开关过程中的能量损耗，提升了整体系统效率。这一特性使其非常适合用于高频开关电源或PWM控制应用。此外，该MOSFET具备较强的抗过载能力，能够在瞬态负载条件下保持稳定运行。

JX2N5408 常用于各种功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、LED照明驱动电路、电池管理系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其具备较高的电流和电压承受能力，JX2N5408 也广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器、电动工具和电动车控制器。此外，该MOSFET在太阳能逆变器和储能系统中也具有良好的应用表现。

IRFZ44N, FDPF5N50, STP55NF06, FQP2N60