时间：2025/5/30 22:54:28
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5962-89697013A是一种军用级别的CMOS静态随机存取存储器（SRAM）芯片，符合美国军用标准MIL-PRF-38534。该器件具有高可靠性、抗辐射能力以及宽温度范围的特性，主要应用于航空航天、国防以及其他对可靠性要求极高的领域。
此芯片采用先进的制造工艺，提供快速访问时间以及低功耗运行性能。其设计确保在极端环境条件下依然能够保持稳定的数据存储和读写功能。
类型：SRAM
容量：128K x 8位
访问时间：10ns
工作电压：5V
封装形式：Ceramic DIP
温度范围：-55°C至+125°C
数据保持时间：无限（断电后丢失）
抗辐射性能：总剂量≥100 krad(Si)
引脚数：28
5962-89697013A具备出色的抗辐射能力，能够在高能粒子环境下维持正常操作，这对于太空探索设备尤其重要。
它支持快速数据存取，同时功耗相对较低，非常适合电池供电或能源受限的应用场景。
由于遵循严格的质量控制流程，此芯片具有高度一致性及长期使用寿命，可满足关键任务型系统的需要。
此外，该器件还兼容多种常见的总线接口协议，简化了系统集成过程。
为了保证可靠性，每片5962-89697013A都要通过一系列严格的测试程序，包括但不限于高温老化测试、振动测试和湿度测试等。
该芯片广泛用于军事通信系统中的高速缓存模块，雷达信号处理单元中的临时数据缓冲区，卫星控制系统中的配置寄存器组，以及导航仪器中的程序存储区域。
此外，在工业自动化领域，这种类型的SRAM也可以用来保存实时状态信息或中间计算结果，以加快系统响应速度并提高整体效率。
5962-9011102-1, 5962-89697023A
