类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：3.5A
　　导通电阻（Rds(on)）：约 0.85Ω（典型值）
　　功率耗散（Pd）：40W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220

JX2N5406 功率 MOSFET 具备多项优良的电气和热特性。其 N 沟道结构和增强型设计使其在低栅极驱动电压下即可实现良好的导通性能，适用于多种功率控制电路。该器件的导通电阻较低，有助于减少导通损耗，提高整体效率。此外，JX2N5406 的 TO-220 封装提供了良好的散热性能，能够在较高功率下稳定工作。
　　该 MOSFET 的最大漏源电压为 100V，能够承受较高的电压应力，适用于多种 DC-DC 转换器、开关电源和马达控制应用。其最大连续漏极电流为 3.5A，适合中等功率负载的控制。JX2N5406 的栅极驱动电压范围较宽（±20V），在不同驱动条件下均能保持稳定运行，提高了其在多种电路设计中的适应性。
　　该器件的功率耗散能力为 40W，在适当散热条件下可长时间运行于较高负载状态。其工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，具备良好的环境适应性，适用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品等多种应用领域。

JX2N5406 主要用于需要中高功率开关控制的电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）中的功率开关、DC-DC 转换器中的同步整流器、电池管理系统中的负载开关、电机驱动电路以及 LED 照明调光控制等。由于其良好的导通特性和热稳定性，该器件也常用于工业自动化设备、智能家电和汽车电子系统中的功率控制模块。

2N5406, IRF540N, FQP30N06L