型号：BSV17
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100 V
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　连续漏极电流（Id）：8.5 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：34 A
　　导通电阻（Rds(on)）：40 mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：50 mΩ @ Vgs=4.5V
　　阈值电压（Vth）：2.0 V ~ 3.0 V
　　输入电容（Ciss）：600 pF @ Vds=50V
　　输出电容（Coss）：120 pF @ Vds=50V
　　反向恢复时间（trr）：25 ns
　　最大功耗（Ptot）：50 W
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C ~ +150 °C
　　封装：PG-SOT223

BSV17的核心特性之一是其采用英飞凌专有的Trenchstop?沟槽栅场截止技术，这种先进的制造工艺显著优化了器件的电场分布，从而在保证高击穿电压的同时大幅降低了导通电阻。其典型的Rds(on)仅为40mΩ（在Vgs=10V条件下），这意味着在大电流负载下能够有效减少功率损耗，提高系统的整体能效。此外，较低的Rds(on)也有助于减小散热需求，允许使用更小尺寸的散热器或完全依赖PCB散热，特别适合空间受限的应用设计。
　　另一个关键优势在于其出色的开关性能。BSV17具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw），这使得它在高频开关操作中表现出色，减少了开关过程中的能量损耗。这对于开关电源、同步整流和PWM电机控制等高频应用场景至关重要。同时，其较快的反向恢复时间（trr约为25ns）也降低了体二极管在换流过程中产生的损耗，避免了不必要的热量积累和电磁干扰问题。
　　在可靠性方面，BSV17具备较强的热稳定性和长期耐用性。PG-SOT223封装提供了良好的热传导路径，使芯片结温能有效传递至PCB，提升了热管理效率。该器件还通过了严格的工业级认证，能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，适应恶劣环境下的长期运行。此外，其内置的保护机制包括过温保护响应能力和一定的抗雪崩能量承受能力，进一步增强了系统鲁棒性。综合来看，BSV17在效率、尺寸、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是一款适用于多种中功率电力电子系统的高性能MOSFET器件。

BSV17广泛用于各类中等功率的电力电子系统中。一个典型的应用是在开关模式电源（SMPS）中作为主开关或同步整流器使用，尤其是在AC-DC适配器、充电器和LED驱动电源中发挥重要作用。凭借其低导通电阻和快速开关特性，BSV17可以显著降低电源转换过程中的能量损耗，提高电源的整体效率，并满足日益严格的能效标准如Energy Star或DoE Level VI要求。
　　在DC-DC转换器领域，BSV17常被用作降压（Buck）或升压（Boost）拓扑中的功率开关元件。例如，在车载电源系统或便携式设备的电源模块中，BSV17能够高效地将输入电压转换为稳定的输出电压，支持电池供电设备长时间运行。其SOT223封装便于焊接且占用空间小，非常适合对体积敏感的设计。
　　此外，BSV17也适用于电机驱动应用，特别是在小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中作为开关元件。其高电流承载能力和快速响应特性可确保电机启动、停止和调速过程平稳可靠。在工业自动化控制系统中，BSV17可用于继电器驱动、电磁阀控制和电源切换等功能模块，提供高效的固态开关解决方案。
　　在消费类电子产品如智能家居设备、打印机、路由器和小型家电中，BSV17因其性价比高、性能稳定而受到青睐。同时，由于其具备一定的抗干扰能力和环境适应性，也可应用于部分轻度车载电子系统，如车灯控制、风扇驱动或车载充电模块。总之，BSV17凭借其多方面的优良特性，已成为现代电子系统中不可或缺的关键功率器件之一。

BSP17
　　IPD90N10S3L-02