JX2N5269 是一款常见的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、开关电源、电机控制以及各类功率电子设备中。该器件具有低导通电阻、高耐压和快速开关特性,适合中高功率应用。JX2N5269 通常采用TO-220或TO-252等封装形式,便于散热和安装。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):200V
栅源电压(Vgs):±30V
漏极电流(Id):12A(连续)
导通电阻(Rds(on)):约0.3Ω(典型值)
功率耗散(Ptot):50W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:TO-220、TO-252
JX2N5269 采用先进的平面工艺制造,具有良好的热稳定性和较高的可靠性。其低导通电阻特性有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,该器件具备较高的耐压能力,能够承受较大的瞬态电压冲击,适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等需要高可靠性的场合。
该MOSFET具备快速开关响应能力,适合高频开关应用,同时具有较低的栅极电荷,减少了驱动损耗。JX2N5269 还具备良好的抗雪崩能力,能够承受一定程度的过压和过流冲击,增强了系统的稳定性。
在热设计方面,JX2N5269 采用高导热材料和结构设计,使得在大电流工作时仍能保持较低的温度上升,延长了器件的使用寿命。其标准封装形式(如TO-220)也便于安装和散热处理。
JX2N5269 主要应用于电源管理系统、开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制电路、LED驱动器、逆变器、电池管理系统(BMS)以及各类工业控制设备。由于其高耐压和低导通电阻特性,该器件特别适合用于需要高效能、高稳定性的功率开关场合。
IRF540N, 2N6782, FDP12N20, STP12NM20