JX2N5267是一种常见的N沟道增强型功率MOSFET,广泛用于各种高功率电子设备中。该器件采用了先进的平面工艺技术,具备较高的导通性能和较低的导通损耗。由于其优良的性能,JX2N5267常被应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及功率放大器等场景。该MOSFET封装形式多为TO-220或TO-262,便于安装和散热。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):500V
栅源电压(Vgs):±30V
连续漏极电流(Id):16A
导通电阻(Rds(on)):0.28Ω
功耗(Pd):150W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:TO-220/TO-262
JX2N5267具有优异的电气性能和热稳定性。其高耐压特性(Vds为500V)使其适用于高压电源系统。该器件的导通电阻低,仅为0.28Ω,能够显著降低导通损耗,提高系统效率。此外,JX2N5267具备较高的连续漏极电流能力(16A),适合用于大功率应用场景。其封装形式为TO-220或TO-262,不仅具备良好的散热性能,还便于在PCB板上安装和维护。该MOSFET在高温环境下仍能稳定工作,适应各种恶劣工况。
另外,JX2N5267的栅极驱动设计简单,可与常见的驱动电路兼容,降低了设计复杂度。其快速开关特性有助于减少开关损耗,提高系统响应速度。同时,该器件具备良好的抗过载能力和短路保护性能,增强了系统的可靠性和稳定性。
JX2N5267广泛应用于多种高功率电子系统中,例如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器以及功率放大器等。在电源管理系统中,JX2N5267可以作为主开关器件,提供高效的能量转换。在工业自动化领域,该MOSFET可用于控制大功率负载,如伺服电机和电磁阀。此外,在新能源领域,如太阳能逆变器和电动汽车充电系统中,JX2N5267也表现出优异的性能。
FDPF16N50, STP16N50, IRF260