时间：2025/9/2 22:27:48
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JX2N5267是一种常见的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于各种高功率电子设备中。该器件采用了先进的平面工艺技术，具备较高的导通性能和较低的导通损耗。由于其优良的性能，JX2N5267常被应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及功率放大器等场景。该MOSFET封装形式多为TO-220或TO-262，便于安装和散热。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：500V
栅源电压(Vgs)：±30V
连续漏极电流(Id)：16A
导通电阻(Rds(on))：0.28Ω
功耗(Pd)：150W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220/TO-262
JX2N5267具有优异的电气性能和热稳定性。其高耐压特性（Vds为500V）使其适用于高压电源系统。该器件的导通电阻低，仅为0.28Ω，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，JX2N5267具备较高的连续漏极电流能力（16A），适合用于大功率应用场景。其封装形式为TO-220或TO-262，不仅具备良好的散热性能，还便于在PCB板上安装和维护。该MOSFET在高温环境下仍能稳定工作，适应各种恶劣工况。
另外，JX2N5267的栅极驱动设计简单，可与常见的驱动电路兼容，降低了设计复杂度。其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高系统响应速度。同时，该器件具备良好的抗过载能力和短路保护性能，增强了系统的可靠性和稳定性。
JX2N5267广泛应用于多种高功率电子系统中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器以及功率放大器等。在电源管理系统中，JX2N5267可以作为主开关器件，提供高效的能量转换。在工业自动化领域，该MOSFET可用于控制大功率负载，如伺服电机和电磁阀。此外，在新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电系统中，JX2N5267也表现出优异的性能。
FDPF16N50, STP16N50, IRF260
