类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：5A
　　导通电阻（Rds(on)）：约 0.6Ω（典型值）
　　功率耗散（Ptot）：30W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

JX2N5011 具备多项优良的电气特性，使其在功率电子应用中表现出色。其最大漏源电压为 100V，能够承受较高的电压应力，适用于中高压电源系统。该器件的最大连续漏极电流为 5A，在适当的散热条件下可稳定运行于高电流状态。导通电阻约为 0.6Ω，具备较低的导通损耗，有助于提升系统效率。此外，该 MOSFET 的 TO-220 封装便于安装在散热片上，增强了热管理能力。其栅极驱动电压范围宽广，典型工作电压为 10V，确保了良好的导通性能。JX2N5011 还具备良好的抗静电能力和较高的可靠性，适用于多种工业环境。
　　该器件的开关速度快，适合用于 PWM（脉宽调制）控制电路、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等高频应用。由于其具备良好的热稳定性，能够在高温环境下长时间工作，确保系统的稳定性和耐用性。同时，JX2N5011 的结构设计优化了短路和过载保护性能，提高了器件在异常情况下的安全性。

JX2N5011 广泛应用于各种功率电子系统中。常见用途包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池充电器、电机控制器、LED 驱动电源以及工业自动化设备中的功率开关电路。该器件也可用于音频放大器中的电源管理部分、逆变器系统以及各种需要高效、高可靠性功率控制的电子装置。

2N5011, IRFZ44N, FQP5N60, 2SK2647