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JX2N4420 发布时间 时间:2025/9/2 15:58:41 查看 阅读:7

JX2N4420 是一款常用的N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和功率放大器等电路中。其设计基于高压和高电流能力,具备良好的导通特性和耐压性能,适用于中高功率的电子系统。该器件采用TO-220封装形式,具有良好的散热性能,方便安装和使用。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(Vds):500V
  栅源电压(Vgs):±30V
  连续漏极电流(Id):8A
  功耗(Pd):50W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  导通电阻(Rds(on)):典型值1.5Ω
  封装形式:TO-220

特性

JX2N4420 具备优异的导通特性和高耐压能力,其漏源电压高达500V,能够满足高压应用场景的需求。该器件的连续漏极电流为8A,使其适用于中高功率的电子设备。其导通电阻较低,典型值为1.5Ω,有助于降低导通损耗并提高系统效率。此外,该MOSFET的封装形式为TO-220,具备良好的散热性能,确保在高负载条件下仍能稳定运行。该器件还具有较高的热稳定性和抗过载能力,适合长时间运行的工业设备和电源系统。
   JX2N4420 的栅源电压范围为±30V,使其在驱动电路中具备较高的灵活性和稳定性。该MOSFET能够在-55°C至+150°C的温度范围内正常工作,适应各种恶劣的环境条件。其50W的功率耗散能力,使其能够在高功率密度应用中发挥重要作用。

应用

JX2N4420 主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动电路、逆变器、功率放大器以及各种中高功率电子设备中。其高耐压和高电流特性,使其非常适合用于工业控制设备、电源管理系统和照明驱动电路。该器件也可用于电子负载、电池充电器和变频器等应用中,提供高效的功率控制和稳定的运行性能。由于其良好的导通特性和散热能力,JX2N4420 也常用于高频开关电路和功率因数校正(PFC)电路中。

替代型号

2N4420、IRF840、FDPF840

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