PQ1CY103 时间：2025/8/28 22:08:15 阅读：9

PQ1CY103 是一款由罗姆（Rohm）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。这款MOSFET具有低导通电阻、高效率和优异的热稳定性，适用于需要高效能和紧凑设计的电子系统。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：10A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大0.015Ω（在VGS=10V时）
　　功耗（PD）：40W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

PQ1CY103 的主要特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。
　　该器件支持高达10A的连续漏极电流，适用于中高功率应用。
　　其30V的漏源电压额定值使其适用于多种电源管理电路，包括同步整流、负载开关和电机控制。　　此外，该MOSFET具有较高的栅极绝缘性能，栅源电压可承受±20V，增强了器件在高频开关应用中的稳定性与可靠性。
　　其高热稳定性与低热阻特性确保了在高负载条件下的稳定运行，延长了器件的使用寿命。

应用

PQ1CY103 MOSFET常用于各类电源转换和管理系统，包括但不限于同步整流器、DC-DC转换器、负载开关、电源管理模块、电机驱动电路、LED照明驱动器以及电池供电设备中的功率控制部分。
　　由于其低导通电阻和高电流承载能力，特别适用于需要高效能、小型化设计的便携式电子产品和工业控制系统。
　　在汽车电子领域，PQ1CY103也可用于车载电源管理系统和电机控制电路中，满足汽车环境下的高可靠性要求。