类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：10A
　　最大漏-源电压（Vds）：250V
　　最大栅-源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：≤0.45Ω @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220、TO-252（DPAK）
　　功率耗散（Pd）：40W

JX2N4261 MOSFET具有出色的导通性能和开关速度，适用于高频开关电路。其低导通电阻降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件具有良好的热稳定性和抗过载能力，能够在恶劣的环境条件下长时间运行。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽（通常为10V至20V），便于与各种驱动电路兼容。其TO-220封装具备良好的散热性能，适合高功率应用。同时，JX2N4261的漏极和源极之间具有较高的击穿电压，能够承受较高的瞬态电压冲击，提高了系统的可靠性。
　　在安全方面，该器件具有较低的短路电流能力，能够有效防止因短路导致的损坏。此外，JX2N4261还具有良好的抗静电能力，避免因静电放电（ESD）造成的失效。

JX2N4261 常用于各种电力电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、LED照明驱动电路以及工业自动化控制系统等。
　　在开关电源中，JX2N4261作为主开关器件，能够高效地控制能量的传递和转换，提升整体电源效率。在电机控制和驱动电路中，该器件能够实现高速开关操作，提升电机响应速度和控制精度。
　　此外，JX2N4261也广泛应用于各种电池管理系统中，用于控制电池的充放电过程，确保电池在安全范围内运行。在LED照明系统中，它可用作功率开关，实现恒流控制和调光功能。
　　由于其优异的电气性能和稳定性，JX2N4261也被用于家电、工业设备、安防监控、新能源等领域。

2N4261, IRF840, 2SK2647, FDPF4N250, FQP10N25