类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：100V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：8A
　　导通电阻(Rds(on))：0.25Ω（最大）
　　功耗(Pd)：83W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

JX2N3763具备多项优良特性，使其在功率MOSFET领域中表现突出。首先，其漏源电压为100V，能够承受较高的电压应力，适用于多种中高压应用场景。其次，最大连续漏极电流为8A，使得该MOSFET能够支持较高功率的负载，如电机驱动和电源转换器。
　　此外，该器件的导通电阻Rds(on)最大为0.25Ω，这意味着在导通状态下，JX2N3763的功率损耗较低，有助于提高整体系统的能效。同时，该MOSFET具有较高的功率耗散能力，额定功耗为83W，使其在高负载条件下也能保持良好的热稳定性。
　　JX2N3763采用TO-220封装，具备优异的散热性能，适用于需要稳定散热设计的电路。其工作温度范围为-55°C至+150°C，能够在极端环境下保持稳定运行，适用于工业控制、汽车电子等对可靠性要求较高的应用领域。

JX2N3763广泛应用于多个领域，主要包括：电源管理系统，如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电池充电器；电机控制电路，包括直流电机驱动和步进电机控制器；工业自动化设备，如PLC（可编程逻辑控制器）和工业继电器；以及LED照明驱动和电子负载开关等场景。此外，由于其高可靠性和良好的热性能，JX2N3763也适用于汽车电子系统，如车载电源管理模块和电机控制单元。

2N3763, IRF540N, FQP8N60C