时间：2025/12/26 10:39:08
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MBR2045CTI是一款由ON Semiconductor生产的高电流、超快恢复双肖特基势垒整流器，专为高效率电源转换应用设计。该器件采用TO-220AC封装，具有低正向电压降和极低的反向漏电流特性，能够显著降低功率损耗并提高系统整体效率。MBR2045CTI由两个独立的20A额定电流的肖特基二极管组成，共阴极连接结构使其特别适用于全波整流电路或同步整流拓扑中的续流与箝位功能。其优化的热设计允许在高温环境下稳定运行，广泛用于开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电池充电系统以及工业级电源模块中。
该器件符合RoHS标准，并具备良好的抗浪涌能力，能够在瞬态负载条件下保持可靠工作。由于其高频响应特性和快速开关性能，MBR2045CTI可有效减少电磁干扰（EMI），从而简化滤波电路设计。此外，其坚固的封装形式提供了优良的散热路径，有助于延长器件寿命并在紧凑空间内实现高效能表现。作为一款成熟且广泛应用的功率整流器件，MBR2045CTI在通信设备、服务器电源、太阳能逆变器及汽车电子等领域均有出色表现。
型号：MBR2045CTI
制造商：ON Semiconductor
封装/外壳：TO-220AC
配置：双共阴极
最大平均整流电流：20 A
峰值重复反向电压：45 V
最大正向压降：0.53 V @ 20 A, 110°C
最大反向漏电流：2 mA @ 45 V, 125°C
工作结温范围：-65°C ~ +150°C
安装类型：通孔
热阻：1.0 °C/W（典型值）
引脚数：3
MBR2045CTI的核心优势在于其卓越的电学性能与热稳定性结合，使其成为中低压大电流整流应用的理想选择。首先，该器件采用了先进的肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降（VF），典型值仅为0.53V，在20A满载条件下大幅降低了导通损耗，提升了电源系统的能效水平。相比传统硅质PN结二极管，这种低VF特性尤其在大电流输出场景下体现出显著节能效果，减少了对额外散热措施的需求。
其次，MBR2045CTI具备优异的动态响应能力，由于肖特基二极管本身无少子存储效应，因此不存在反向恢复时间（trr ≈ 0），从根本上消除了开关过程中的反向恢复电流尖峰和相关的开关损耗。这一特点对于高频工作的DC-DC变换器、同步整流架构至关重要，不仅能提升转换效率，还能降低电磁干扰（EMI）噪声，使EMI滤波器设计更加简洁，有助于满足严格的EMC认证要求。
再者，该器件支持高达20A的持续平均整流电流，并可在瞬时过流情况下承受一定浪涌能力，增强了系统鲁棒性。其TO-220AC封装具备良好的机械强度和热传导性能，可通过外接散热片将热量迅速传递至环境，确保长时间高负载运行下的可靠性。器件的工作结温范围宽达-65°C至+150°C，适应严苛工业环境与车载应用中的温度波动。
此外，MBR2045CTI采用环保材料制造，符合RoHS指令，不含铅和有害物质，适用于绿色电子产品设计。其电气隔离性能良好，适合多种安全等级要求的应用场合。总体而言，这款双共阴极肖特基整流器以其高效率、高可靠性与成熟工艺赢得了市场的广泛认可。
MBR2045CTI主要应用于需要高效、低压大电流整流的电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS）中的输出整流级，特别是在服务器电源、电信整流模块和工业电源中作为主整流元件使用。其低正向压降和零反向恢复特性使其非常适合用于DC-DC降压或升压转换器中的续流二极管或同步整流辅助二极管，有效提升整体转换效率并减少热积累。
在电池充电管理系统中，该器件可用于防止电池反向馈电，同时在充电回路中提供高效的单向导通路径。它也广泛应用于太阳能光伏逆变器的旁路与保护电路中，以减少能量损失并提高发电效率。此外，在UPS不间断电源、电动工具电源适配器、LED驱动电源等设备中，MBR2045CTI凭借其稳定性能和高可靠性发挥着关键作用。
由于其具备较高的电流处理能力和良好的热管理特性，该器件也被用于汽车电子系统中的辅助电源模块，如车载充电机（OBC）和DC-DC转换器模块中，尤其是在非隔离型拓扑结构中担任整流角色。此外，在电机驱动器、工业控制板和自动化设备中，常被用作钳位二极管来吸收感性负载产生的反电动势，保护MOSFET或IGBT等开关器件免受电压冲击损坏。
SR20G45PT1G
MBR20H45CT
SS2045BD
