类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　漏极电流（Id）：10A（最大）
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.45Ω（最大）
　　功耗（Pd）：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220
　　开启阈值电压（Vgs(th)）：2V ~ 4V

JX2N2891是一款高性能的功率MOSFET，其核心特性在于高电压耐受能力和较强的电流承载能力，使其适用于高效率的功率转换系统。该器件具有较低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。其TO-220封装设计提供了良好的散热能力，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　JX2N2891的栅极驱动电压范围较宽，允许在多种控制电路中灵活使用。此外，该器件具有良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压情况下提供一定的保护，提升系统的可靠性。其快速开关特性也使其适用于高频开关电源和PWM控制应用。
　　在热性能方面，JX2N2891具备较高的热阻能力，能够在高温环境下稳定工作。这使得它在工业控制、电机驱动、LED照明电源、UPS系统等要求较高的应用场景中表现出色。

JX2N2891常用于各类电源管理系统和功率控制电路中。例如，在AC-DC电源适配器、DC-DC降压/升压转换器、开关电源（SMPS）以及电池管理系统中，JX2N2891被广泛用于主开关元件。
　　此外，该器件也适用于电机驱动电路、电磁阀控制、继电器驱动以及LED照明调光系统。在太阳能逆变器和储能系统中，JX2N2891可用于功率开关和能量转换控制。
　　由于其良好的耐压和抗冲击能力，JX2N2891也被用于工业自动化设备、智能电表、家电控制模块等需要高可靠性的应用场景。

IRF840, FQP10N50C, STP10NK50Z