类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：最大60V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）：连续最大3A
　　功耗（Pd）：30W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-72或TO-92
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.5Ω（典型值）
　　增益带宽：约50MHz

JX2N2647的主要特性包括其高耐压和良好的导通性能，使其在中等功率的开关电路中表现优异。该晶体管采用硅基技术制造，具备较低的栅极电荷，有助于提高开关速度并减少开关损耗。此外，它具有较强的热稳定性和过热保护能力，在高温环境下依然可以保持稳定工作。
　　该MOSFET的输入阻抗非常高，几乎不从控制电路吸取电流，因此易于驱动。同时，其较高的增益带宽特性使其适用于高频放大电路，尤其是在射频和音频放大应用中表现良好。此外，JX2N2647的封装形式紧凑，适合用于空间受限的电路板设计，并具有良好的散热性能。
　　该器件的另一个优点是其耐用性和长寿命，能够在高电流和高电压条件下稳定运行，适用于需要高可靠性的电子系统。JX2N2647还具有良好的抗干扰能力，在电磁环境复杂的场合中仍能保持正常工作。

JX2N2647广泛应用于各种电子设备和系统中，包括电源开关、DC-DC转换器、电机驱动电路、音频放大器、射频发射器、电子调光器以及各种控制电路。由于其高频特性和高耐压能力，该晶体管在无线通信设备和音频功放中尤为常见。
　　在电源管理系统中，JX2N2647可用于高效的功率调节和稳压控制，适用于电池供电设备的节能设计。在电机控制应用中，它可用于PWM（脉宽调制）控制，实现精确的速度调节和高效能转换。此外，该晶体管还常用于逆变器、UPS（不间断电源）以及各种类型的功率放大电路中，为工业控制和自动化设备提供可靠的功率控制解决方案。

2N2647, JX2N3055, 2N3055, IRF510, JX2N3819