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STD25NF10T4 发布时间 时间:2025/5/29 1:28:20 查看 阅读:9

STD25NF10T4 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TO-220AC 封装,具有低导通电阻和高电流处理能力,适用于各种开关电源、电机驱动以及负载切换等应用领域。
  该 MOSFET 的最大漏源电压为 100V,连续漏极电流可达 25A,非常适合中高功率应用场合。同时,其优异的热性能和电气特性使得它在效率和可靠性方面表现突出。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:25A
  导通电阻(典型值):7.5mΩ
  栅极电荷(典型值):45nC
  总电容(输入电容):1350pF
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-220AC

特性

STD25NF10T4 具备以下关键特性:
  1. 高电流承载能力:能够支持高达 25A 的连续漏极电流,确保在大电流应用中的稳定性。
  2. 低导通电阻:仅为 7.5mΩ(典型值),降低了导通损耗,提升了系统效率。
  3. 快速开关性能:通过优化的栅极电荷设计,能够实现快速开关操作,从而减少开关损耗。
  4. 高稳健性:具备较高的雪崩击穿能力和抗静电能力,能够在恶劣环境下可靠运行。
  5. 广泛的工作温度范围:从 -55℃ 到 +175℃,满足工业级和汽车级应用需求。
  6. 符合 RoHS 标准:环保且适合现代绿色电子产品的设计要求。

应用

STD25NF10T4 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS):包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器,提供高效的功率转换。
  2. 电机驱动:用于控制直流无刷电机或步进电机的启动、停止及速度调节。
  3. 逆变器:在光伏逆变器和其他类型的逆变器中作为功率开关元件。
  4. 电池保护电路:防止过充、过放以及短路等情况发生。
  5. 电信设备:如基站电源、不间断电源(UPS)等对效率和可靠性要求较高的场景。
  6. 工业自动化:例如伺服驱动器、PLC 控制模块中的功率管理部分。

替代型号

IRFZ44N
  STP25NF10L
  FDP5500
  IXFN25N10T
  AO3400

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STD25NF10T4参数

  • 其它有关文件STD25NF10 View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C25A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C38 毫欧 @ 12.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs55nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1550pF @ 25V
  • 功率 - 最大100W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-7962-6