类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）：100mA
　　导通电阻（Rds(on)）：约10Ω（典型值）
　　功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-92

JX2N2328A MOSFET具有多个显著的电气和热特性，适用于广泛的电子设计应用。其主要特点之一是低导通电阻，这有助于降低导通损耗，提高整体效率。此外，该器件具有较高的开关速度，适用于高频开关电路。JX2N2328A的栅极驱动电压范围较宽，支持更灵活的控制方式，同时具备较低的漏电流，确保在关闭状态下的低功耗表现。
　　该MOSFET的TO-92封装设计便于在PCB上安装，且具有良好的散热性能，适用于多种环境条件。其增强型结构意味着在零栅极电压下器件处于关闭状态，避免了不必要的漏电流，提升了系统的能效和安全性。
　　JX2N2328A在设计上具有较强的抗干扰能力和稳定性，能够在恶劣的电磁环境中可靠运行。其低输入电容和跨导特性使其在模拟开关和数字控制应用中表现出色，适用于各种低功耗、中等电压的电子设备。

JX2N2328A MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于以下方面：在电源管理电路中，作为开关元件用于控制电源的通断；在信号切换电路中，作为高速开关用于处理低电平信号；在电机驱动电路中，用于控制小型直流电机的运行；在LED驱动电路中，用于调节LED的亮度；在自动化控制系统中，用于控制各种负载的启停。
　　此外，该器件也常用于嵌入式系统、工业控制设备、消费类电子产品以及电池供电设备中，作为高效能的开关元件。其高频响应特性使其在音频放大器和PWM控制电路中也有一定的应用。JX2N2328A的低功耗和高稳定性使其成为替代传统双极型晶体管的理想选择。

2N2328, 2N3904, 2N7000, BS170