类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：15A（在25℃时）
　　导通电阻(Rds(on))：约45mΩ（最大值）
　　功率耗散(Pd)：83W
　　工作温度范围：-55℃～+175℃

JX2N1991具备多项优良特性，首先其导通电阻较低，能够在高电流条件下减少导通损耗，从而提高整体效率。其次，其最大漏源电压达到60V，适用于多种中压功率应用场合。此外，该MOSFET的封装形式通常为TO-220或TO-252，具有良好的散热性能，适合在高功率密度设计中使用。
　　这款器件的栅极驱动电压范围较宽，兼容常见的10V和12V驱动电路，同时也支持低至4.5V的逻辑电平驱动，便于与微控制器或其他数字电路配合使用。JX2N1991具备较强的过载和瞬态电流承受能力，可以在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。
　　另外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其封装材料符合RoHS环保标准，适用于工业级和消费类电子产品。由于其性能稳定、价格合理，JX2N1991在电源适配器、DC-DC转换器、LED驱动电源、电动车控制器等领域得到了广泛应用。

JX2N1991广泛应用于各类电力电子设备中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC升压/降压模块、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、LED照明驱动电源、工业自动化控制系统以及电动车控制器等。其高耐压和低导通电阻特性使其特别适合用于高频开关应用场合。

IRFZ44N, SI2302DS, AO3402, FDP6030L, FQP15N60C