时间：2025/9/3 1:01:13
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JX2N1985是一款常用的N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等电路中。该器件采用TO-220封装，具备较高的耐压能力和良好的导通特性，适用于中高功率应用。JX2N1985的设计确保了在高温和高电流条件下仍能保持稳定工作，是一种性价比高且可靠性强的功率MOSFET。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：10A
最大漏源电压（VDS）：500V
最大栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.42Ω（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220
JX2N1985具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特性。其低导通电阻意味着在导通状态下，器件的功耗较低，有助于提高整体系统效率。高开关速度使其适用于高频开关应用，减少开关损耗。此外，该MOSFET具备较强的过载和瞬态电流承受能力，能够在高应力环境下保持稳定工作。JX2N1985的栅极驱动电压范围较宽，适用于多种驱动电路设计，并且具备良好的抗干扰能力。该器件的封装设计有助于散热，提高长期工作的可靠性。
JX2N1985常用于各类电源转换系统，如AC-DC开关电源、DC-DC转换器、逆变器和电机控制电路。由于其高耐压和大电流能力，该器件也适用于照明系统、工业自动化设备、电池充电器以及消费类电子产品中的功率控制部分。在电机驱动和继电器驱动电路中，JX2N1985可作为高效开关器件使用，提供稳定的功率输出。此外，该MOSFET还可用于负载开关和保护电路，确保系统的安全运行。
IRF840, 2N6796, FQA10N50, STP10NK50Z
