类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：2.5A
　　最大漏源电压（VDS）：400V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：约2.0Ω（典型值）
　　功率耗散（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220AB 或 TO-92

JX2N1879 MOSFET 具备多项优异特性，使其适用于多种高电压和高功率应用。其高耐压能力（400V VDS）确保其在高压环境中稳定运行，而较低的导通电阻（RDS(on)）有助于减少导通损耗，提高整体效率。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽（±30V），能够兼容多种驱动电路设计，提高设计灵活性。同时，其快速开关特性减少了开关损耗，适合高频应用环境，例如开关电源和DC-DC转换器。
　　JX2N1879 还具备良好的热稳定性，能够在较高温度下工作而不影响性能，适用于恶劣环境条件下的工业控制和电机驱动系统。此外，该器件的封装形式（如TO-220AB）具有良好的散热性能，进一步提升了其在高功率应用中的可靠性。
　　在制造工艺方面，该MOSFET采用先进的硅技术，确保了器件在高电压和大电流条件下的稳定性和耐用性。其内部结构优化减少了寄生电容，提高了高频响应能力，适合用于射频功率放大器等应用。总的来说，JX2N1879 是一款性能稳定、适用范围广泛的功率MOSFET。

JX2N1879 主要应用于需要高压和中等功率控制的电路中。常见应用包括开关电源（SMPS）、LED驱动器、DC-AC逆变器、电机控制电路以及工业自动化设备中的功率开关模块。
　　在音频放大器设计中，JX2N1879 可用于功率输出级，提供高保真音质输出。此外，该器件也常用于各种电子负载、测试设备和电池充电系统中，因其良好的导通特性和热稳定性，可确保设备在长时间运行下的可靠性。
　　由于其高电压能力和较快的开关速度，JX2N1879 也适用于需要高压切换的继电器替代方案，例如固态继电器（SSR）设计。在消费类电子产品中，该MOSFET可用于智能家电中的电机控制或电源管理模块。

2N1879, JX2N1880, IRF840, 2SK2227