时间：2025/5/8 12:22:54
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LQW18AN10NG00D 是一款由罗姆（ROHM）生产的低导通电阻N沟道MOSFET芯片，专为高效率开关应用而设计。该器件采用先进的制造工艺，具备出色的电气性能和可靠性，适用于各种功率转换和负载开关场景。
其小型化的封装形式使其非常适合空间受限的应用场合，同时能够满足高性能和低功耗的需求。
最大漏源电压：10V
连续漏极电流：36A
导通电阻：0.5mΩ（典型值，@Vgs=4.5V）
栅极电荷：7nC（典型值）
工作结温范围：-55℃至175℃
封装形式：LFPAK18（Power-SO8兼容）
LQW18AN10NG00D 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，可显著降低传导损耗并提升系统效率。
2. 高电流处理能力，适合大功率应用场景。
3. 小型化封装，节省PCB空间。
4. 优异的热性能，能够在高温环境下稳定运行。
5. 快速开关速度，减少开关损耗。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
这款MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的主开关或同步整流管。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 负载开关、保护电路及电池管理。
5. 汽车电子系统中的功率分配与控制。
6. 工业自动化设备中的功率转换模块。
LQW18AN10TGYZD, LQW18AN10NG00S
