JX2N1873A是一款N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于功率开关、电机控制、DC-DC转换器、电源管理和负载开关等场合。该器件采用先进的制造工艺,具备高耐压、高电流承载能力以及较低的导通电阻,适合中高功率应用。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):600V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):10A
脉冲漏极电流(IDM):40A
导通电阻(RDS(on)):典型值0.55Ω
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
封装类型:TO-220
功率耗散(PD):60W
JX2N1873A具有优异的导通性能和快速开关特性,能够有效降低导通损耗和开关损耗。其低导通电阻(RDS(on))可减少工作时的热量产生,提高系统效率。此外,该器件具备良好的热稳定性和较高的可靠性,适用于长时间运行的工业控制和电源管理系统。
该MOSFET采用TO-220封装,便于散热和安装,适合在高功率密度设计中使用。其高耐压能力使其适用于高压电源和马达驱动等应用,同时具备良好的抗静电和过载能力,增强了系统的稳定性和耐用性。
JX2N1873A还具备优异的栅极驱动兼容性,可以与常见的PWM控制器或微处理器直接连接,无需额外的驱动电路,简化了设计复杂度并降低了整体成本。
JX2N1873A主要用于电源转换、马达驱动、工业控制、电动车控制器、LED照明驱动、电池管理系统、逆变器、UPS不间断电源等高功率应用场景。其高耐压特性也使其在太阳能逆变器和储能系统中得到广泛应用。
IRF840, FQP10N60C, STP10NK60Z, 2SK2142