时间：2025/9/2 17:48:43
阅读：23
JX2N1873A是一款N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于功率开关、电机控制、DC-DC转换器、电源管理和负载开关等场合。该器件采用先进的制造工艺，具备高耐压、高电流承载能力以及较低的导通电阻，适合中高功率应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：600V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：10A
脉冲漏极电流(IDM)：40A
导通电阻(RDS(on))：典型值0.55Ω
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装类型：TO-220
功率耗散(PD)：60W
JX2N1873A具有优异的导通性能和快速开关特性，能够有效降低导通损耗和开关损耗。其低导通电阻（RDS(on)）可减少工作时的热量产生，提高系统效率。此外，该器件具备良好的热稳定性和较高的可靠性，适用于长时间运行的工业控制和电源管理系统。
该MOSFET采用TO-220封装，便于散热和安装，适合在高功率密度设计中使用。其高耐压能力使其适用于高压电源和马达驱动等应用，同时具备良好的抗静电和过载能力，增强了系统的稳定性和耐用性。
JX2N1873A还具备优异的栅极驱动兼容性，可以与常见的PWM控制器或微处理器直接连接，无需额外的驱动电路，简化了设计复杂度并降低了整体成本。
JX2N1873A主要用于电源转换、马达驱动、工业控制、电动车控制器、LED照明驱动、电池管理系统、逆变器、UPS不间断电源等高功率应用场景。其高耐压特性也使其在太阳能逆变器和储能系统中得到广泛应用。
IRF840, FQP10N60C, STP10NK60Z, 2SK2142
