时间：2025/8/13 5:20:01
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L2N7002DWLT1G 是一个N沟道增强型MOSFET，常用于低电压和低电流的开关应用。这款器件采用先进的技术，提供了高可靠性和优异的热性能。该MOSFET的封装形式为SOT-363，非常适合在空间受限的设计中使用。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：8V
漏极电流（Id）：115mA（连续）
功耗（Pd）：200mW
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOT-363
L2N7002DWLT1G MOSFET具备低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特性。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。L2N7002DWLT1G还具有高抗静电能力，能够有效防止静电损坏。这些特性使得L2N7002DWLT1G非常适合用于需要高性能和高可靠性的电子设备中。
L2N7002DWLT1G的封装设计使其在PCB布局中占用较少的空间，同时提供了良好的散热性能。该器件的制造工艺确保了其在各种工作条件下的稳定性和一致性。L2N7002DWLT1G的栅极驱动要求较低，适合与多种控制电路配合使用。
L2N7002DWLT1G MOSFET广泛应用于便携式电子设备、电源管理电路、信号开关电路、LED驱动电路以及各种低电压控制系统。由于其小尺寸和高性能，该器件特别适合在移动电话、平板电脑、笔记本电脑和其他消费类电子产品中使用。
2N7002, 2N7002DW, NDS7002A
