JX2N1680A是一款由JX Microtechnologies设计的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率、高频率开关应用而设计。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压和良好的热稳定性,适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和马达控制等应用领域。JX2N1680A采用先进的沟槽式MOSFET技术,使其在导通状态下具有较低的电压降,从而减少功率损耗,提高系统效率。此外,该器件封装形式通常为TO-252(DPAK)或类似的表面贴装封装,便于在PCB上安装和散热。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):800V
栅源电压(Vgs):±30V
连续漏极电流(Id):1.5A(在25℃)
导通电阻(Rds(on)):约2.0Ω(最大值)
功率耗散(Pd):50W(在25℃)
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装类型:TO-252(DPAK)或类似表面贴装封装
JX2N1680A具备多项优良特性,使其在多种电源管理应用中表现出色。首先,其高耐压能力(800V)使其适用于高压电源转换器和开关电源系统。其次,低导通电阻(Rds(on))有助于减少导通状态下的功率损耗,提高整体系统效率。此外,该器件具有良好的热稳定性,能够在较高的工作温度下稳定运行,适用于严苛的工作环境。JX2N1680A还具备快速开关特性,适用于高频开关电路,减少开关损耗并提高响应速度。其表面贴装封装设计不仅便于PCB布局,还提高了散热效率,延长器件使用寿命。此外,JX2N1680A的栅极驱动电压范围较宽,可适应不同的驱动电路设计需求,提高系统兼容性和灵活性。
JX2N1680A广泛应用于各种电源管理系统,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器和LED照明驱动电路。其高耐压特性使其适用于AC-DC转换器和高压电源管理模块。此外,JX2N1680A也可用于工业自动化设备、智能家电和电源适配器等需要高效能功率开关的场合。由于其低导通电阻和良好的热性能,JX2N1680A也适用于需要长时间稳定运行的高可靠性系统,如通信设备、服务器电源和工业控制系统。此外,在新能源领域,如太阳能逆变器和电池管理系统中,JX2N1680A也可作为关键功率开关元件,提供高效稳定的电能转换和控制。
2N1680A, FQP1N80C, STP1N80, IRF840, 2SK2146