类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100mA
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大3.6Ω（在VGS=4.5V时）
　　栅极电荷（Qg）：典型值 2.3nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23（SC-59）

3SK162IT-03TL 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体系统的效率。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持从2.5V到10V的栅极驱动，使其适用于多种逻辑电平控制电路，如由微控制器或数字信号处理器直接驱动。
　　此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，在高电流负载下仍能保持稳定运行。SOT-23封装虽然体积小巧，但具有良好的散热性能，适合在空间受限的设计中使用。该器件还具备较高的开关速度，能够支持高频开关应用，从而减小外部电感和电容的尺寸，提高系统功率密度。
　　3SK162IT-03TL 还具备较强的抗静电能力（ESD保护），提高了在实际应用中的可靠性。由于其低漏电流特性，在关断状态下能够有效减少待机功耗，适用于电池供电设备或对功耗敏感的应用。

3SK162IT-03TL 广泛应用于便携式电子产品、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、LED驱动电路、逻辑电平MOSFET开关以及各种低电压功率管理模块。其小尺寸和高性能使其成为手持设备、智能穿戴设备、传感器模块和物联网（IoT）设备中的理想选择。
　　在DC-DC转换器中，该MOSFET可用作同步整流器或主开关，提升转换效率；在负载开关电路中，可用于控制电源通断，实现快速响应和低功耗控制。此外，它也可用于电机驱动、继电器替代、电能计量设备和工业自动化控制电路中。

2SK3018, 2SK2998, 3SK162IT-03