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JTX2N5515 发布时间 时间:2025/9/2 19:01:51 查看 阅读:4

JTX2N5515是一款N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于需要高效功率控制的电路中。该器件采用TO-220封装,具备良好的热性能和可靠性,适合高电流和高电压的使用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极-源极电压(Vds):100V
  栅极-源极电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):8A
  功耗(Pd):60W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  导通电阻(Rds(on)):0.35Ω(典型值)
  栅极电荷(Qg):22nC

特性

JTX2N5515具备低导通电阻和高耐压能力,使其在功率转换应用中表现优异。其高电流容量和良好的热稳定性使其适用于开关电源、电机控制和照明设备等高要求的电路。此外,该MOSFET的快速开关特性有助于减少开关损耗,提高整体系统效率。由于其坚固的设计,JTX2N5515在恶劣环境下仍能保持稳定运行。
  这款晶体管还具备良好的线性工作区,适用于需要精确功率控制的应用,例如DC-DC转换器和电池充电系统。其封装形式提供优异的散热性能,确保在高负载下也能维持较低的工作温度,从而延长使用寿命。

应用

JTX2N5515主要应用于开关电源、LED照明、电机驱动电路、DC-DC转换器、电池管理系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外,它也常用于音频放大器和高频开关电路中,提供稳定的性能和高效的能量转换。

替代型号

IRFZ44N, FDPF5515, STP8NK10Z, FQP8N10L

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