时间：2025/9/2 19:01:51
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JTX2N5515是一款N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于需要高效功率控制的电路中。该器件采用TO-220封装，具备良好的热性能和可靠性，适合高电流和高电压的使用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds)：100V
栅极-源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：8A
功耗(Pd)：60W
工作温度范围：-55°C至150°C
导通电阻(Rds(on))：0.35Ω（典型值）
栅极电荷(Qg)：22nC
JTX2N5515具备低导通电阻和高耐压能力，使其在功率转换应用中表现优异。其高电流容量和良好的热稳定性使其适用于开关电源、电机控制和照明设备等高要求的电路。此外，该MOSFET的快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。由于其坚固的设计，JTX2N5515在恶劣环境下仍能保持稳定运行。
这款晶体管还具备良好的线性工作区，适用于需要精确功率控制的应用，例如DC-DC转换器和电池充电系统。其封装形式提供优异的散热性能，确保在高负载下也能维持较低的工作温度，从而延长使用寿命。
JTX2N5515主要应用于开关电源、LED照明、电机驱动电路、DC-DC转换器、电池管理系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，它也常用于音频放大器和高频开关电路中，提供稳定的性能和高效的能量转换。
IRFZ44N, FDPF5515, STP8NK10Z, FQP8N10L
