JTX1N6169A 时间：2025/8/4 23:14:07 阅读：18

JTX1N6169A 是一款由 Jotrin Electronics（华秋电子）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率功率转换和开关应用设计。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电池管理系统等领域。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：160A
　　导通电阻（RDS(on)）：5.8mΩ（典型值，VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：160W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

特性

JTX1N6169A 的核心特性在于其极低的导通电阻（RDS(on)），这使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其采用的沟槽式工艺技术优化了电流传导路径，从而增强了器件的电流承载能力和热稳定性。
　　此外，该MOSFET具备较高的栅极耐压能力（±20V），增强了在复杂电磁环境下的可靠性。其封装形式为 TO-263（D2PAK），具有良好的散热性能，适用于高功率密度的设计需求。
　　JTX1N6169A 还具备快速开关特性，降低了开关过程中的能量损耗，有助于提升高频应用中的整体效率。同时，其内部结构设计也优化了短路耐受能力，提高了在异常工况下的安全性。
　　该器件符合 RoHS 环保标准，无铅封装，适用于现代电子设备中对环保要求较高的应用场景。

应用

JTX1N6169A 广泛应用于各类功率电子系统中，包括但不限于：服务器和通信设备的电源模块、DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、负载开关控制、工业自动化设备以及电动汽车的电能管理系统。
　　由于其高电流能力和低导通电阻，该MOSFET特别适合用于高效率电源转换系统，如VRM（电压调节模块）、POL（点负载）电源和高功率LED驱动器等。
　　在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，JTX1N6169A 也能发挥出色的性能，支持高效能和高可靠性的电能转换。