JTX1N6155AUS 时间：2025/8/4 23:10:35 阅读：21

JTX1N6155AUS 是一款由 JIETONG（杰通）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、电池管理系统等需要高效能功率开关的场景。该器件采用先进的沟槽式 MOS 技术制造，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，能够在高频率下工作，适合用于高效率的开关应用。JTX1N6155AUS 通常采用 SOP8 封装形式，具备良好的散热性能，适合中高功率应用。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：100A
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：5.8mΩ（典型值）
　　功率耗散（Pd）：120W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOP8

特性

JTX1N6155AUS 具有多个显著的技术特性，使其在功率 MOSFET 市场中具有竞争力。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为 5.8mΩ，这显著降低了在导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的效率。这对于需要长时间运行的设备（如电源转换器和电动工具）尤为重要。
　　其次，该器件的最大漏极电流为 100A，最大漏源电压为 60V，这意味着它能够处理较高的电流和电压负载，适用于中高功率的应用场景。此外，±20V 的最大栅源电压使其在栅极驱动方面具有较高的灵活性，能够兼容多种驱动电路设计。
　　该器件采用 SOP8 封装形式，具备良好的散热性能，能够有效散发工作过程中产生的热量，从而提高器件的稳定性和可靠性。此外，SOP8 封装体积小巧，便于在高密度 PCB 设计中使用。
　　JTX1N6155AUS 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，表明其在极端环境条件下仍能保持稳定运行，适用于工业级和汽车级应用场合。例如，在汽车电子系统中，MOSFET 需要在高温和低温环境下都能正常工作，JTX1N6155AUS 正是这种应用的理想选择。
　　最后，该器件的制造工艺采用了先进的沟槽式 MOS 技术，这不仅提高了导通性能，还优化了开关特性，降低了开关损耗，使其适用于高频开关应用。这在现代电力电子设备中尤为重要，因为高频操作可以减小无源元件（如电感和电容）的尺寸，从而实现更紧凑的设计。

应用

JTX1N6155AUS 主要用于各种电源管理及功率控制电路中。常见的应用包括 DC-DC 升压/降压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、逆变器、UPS 系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。其优异的导通性能和高电流能力使其在电动车、电动工具、服务器电源、通信设备等高效率要求的场合中广泛应用。此外，它也可用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及其他车载电源管理系统。