JTX1N6133AUS 时间：2025/8/4 22:09:20 阅读：5

JTX1N6133AUS 是一款由 Jotrin Electronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频率开关应用。该器件采用先进的硅工艺技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和马达控制等领域。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：60V
　　栅源电压 Vgs：±20V
　　连续漏极电流 Id：30A
　　导通电阻 Rds(on)：典型值 5.8mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

JTX1N6133AUS 具备出色的电气性能和热管理能力，其低导通电阻（Rds(on)）可有效降低功率损耗，提高系统效率。
　　该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提升了开关速度和导通性能，适用于高频开关电源设计。
　　此外，JTX1N6133AUS 还具备高雪崩能量耐受能力和良好的短路稳定性，增强了系统的可靠性。
　　其封装设计符合 RoHS 环保标准，便于安装在各种 PCB 板上，并支持表面贴装工艺。
　　该 MOSFET 可广泛用于同步整流、电池管理系统、电机驱动、工业自动化和消费类电子产品中，提供高效、稳定的功率控制方案。

应用

JTX1N6133AUS 主要应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器和主开关器件，提升能效并减小体积。
　　2. 电池管理系统（BMS）和电源管理模块，实现高效的充放电控制。
　　3. 电机驱动器和马达控制电路，提供快速响应和低损耗功率切换。
　　4. 工业控制系统和负载开关模块，实现高可靠性的电源控制。
　　5. 消费类电子产品中的 DC-DC 转换器和电源适配器，满足高效能与高集成度的设计需求。