JTX1N6107 是一款常见的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于电源管理、开关电路、DC-DC转换器、电机驱动等应用中。该器件由日本JRC(New Japan Radio Co., Ltd.)制造,具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性等特点。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):500V
最大栅源电压(Vgs):±30V
最大连续漏极电流(Id):10A
导通电阻(Rds(on)):0.65Ω @ Vgs = 10V
功率耗散(Ptot):80W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:TO-220
JTX1N6107 具备多项优异的电气和物理特性,适用于多种高功率开关应用场景。其主要特性包括:
1. 高耐压能力:最大漏源电压(Vds)可达500V,使其适用于高压电源系统,如开关电源(SMPS)和功率因数校正(PFC)电路。
2. 低导通电阻:Rds(on)为0.65Ω,有助于降低导通损耗,提高系统效率,减少发热。
3. 高电流承载能力:最大连续漏极电流为10A,适用于中高功率应用,如电机控制、LED驱动等。
4. 高可靠性:采用TO-220封装,具备良好的散热性能,可在较恶劣环境下稳定工作。
5. 快速开关特性:具有较低的栅极电荷(Qg),适合高频开关操作,提升转换效率。
6. 热稳定性优异:内部结构优化,确保在高温环境下仍能维持稳定性能。
7. 保护能力强:具备一定的抗雪崩能力和过载保护特性,增强系统的稳定性和可靠性。
JTX1N6107 主要用于需要中高功率开关控制的电子设备中,典型应用包括:
1. 开关电源(SMPS):作为主开关或同步整流开关,提高电源转换效率。
2. DC-DC转换器:用于升压(Boost)或降压(Buck)电路中,实现高效电压转换。
3. 电机驱动电路:用于直流电机或步进电机的H桥驱动,提供高电流控制能力。
4. LED照明驱动:适用于大功率LED灯具的恒流驱动电源。
5. 家电控制:如电磁炉、变频空调等产品中的功率控制模块。
6. 工业自动化设备:用于PLC、变频器、伺服驱动器等工业控制设备中的功率开关电路。
7. 太阳能逆变器:作为光伏逆变系统中的功率开关元件,提升能量转换效率。
IRF840, FQP10N50, STP10NK50Z, 2SK2647