时间：2025/9/2 10:10:34
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H9DA2GH1GHAMBR-4EM 是由SK Hynix（现为Solidigm）生产的一款NAND闪存芯片。该芯片属于3D NAND技术的存储器，广泛应用于嵌入式系统、固态硬盘（SSD）、移动设备以及其他需要大容量非易失性存储的设备中。该型号的封装形式为BGA（Ball Grid Array），具有较高的存储密度和可靠性。
容量：8GB（64Gb）
存储类型：NAND闪存
接口：ONFI 4.0兼容
封装类型：BGA
工作温度范围：-40°C至85°C
电压：1.8V/3.3V
读取速度：高达800MT/s
写入速度：高达15000 IOPS
擦除速度：高达3000 IOPS
H9DA2GH1GHAMBR-4EM 是一款高性能的3D NAND闪存芯片，采用先进的3D堆叠技术，提供更高的存储密度和更长的使用寿命。该芯片支持ONFI 4.0接口标准，确保与各种主控器的兼容性和高效的数据传输。其多层单元（MLC）或TLC（Triple-Level Cell）技术提供了良好的读写性能和数据保留能力。
此外，H9DA2GH1GHAMBR-4EM 具备低功耗设计，适用于移动设备和嵌入式系统，能够在多种工作环境下稳定运行。其BGA封装形式不仅节省空间，还提高了抗干扰能力和热稳定性。
该芯片还支持ECC（错误校正码）功能，确保数据在传输和存储过程中的完整性。其高耐久性设计使其适用于频繁读写的应用场景，如固态硬盘和工业控制系统。
H9DA2GH1GHAMBR-4EM NAND闪存芯片广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 固态硬盘（SSD）：用于个人电脑、服务器和数据中心的高速存储解决方案。
- 移动设备：如智能手机和平板电脑，用于存储操作系统、应用程序和用户数据。
- 嵌入式系统：如工业控制系统、医疗设备和汽车电子系统，用于可靠的数据存储。
- 存储卡和U盘：用于便携式数据存储和传输。
- 物联网（IoT）设备：用于边缘计算和本地数据缓存。
H9DA2GH1GHAMBR-4EM的替代型号包括H9DA4GH2GAMBR-4EM（16GB容量）和H9DA1GH1GAMBR-4EM（4GB容量），以及来自其他厂商的ONFI 4.0兼容NAND闪存芯片，如Micron的MT29F64G9AHAAR4-IT和Toshiba的TC58NVG3S0E4TA00。
