JSMD407是一款高性能的MOSFET功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。其封装形式通常为TO-220或TO-252,便于散热和安装。
JSMD407属于N沟道增强型MOSFET,能够承受较高的漏源电压和连续电流。其设计优化了在高频应用中的表现,同时保持较低的功耗,是许多功率转换和负载切换应用的理想选择。
漏源电压(Vds):60V
连续漏极电流(Id):40A
栅极阈值电压(Vgs(th)):2V~4V
导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值)
总功耗(Ptot):130W
工作结温范围(Tj):-55℃~175℃
输入电容(Ciss):2000pF
反向恢复时间(trr):30ns
1. 高效的开关性能,适合高频应用场景。
2. 极低的导通电阻Rds(on),有效降低传导损耗。
3. 快速的开关速度,减少开关损耗。
4. 良好的热稳定性和可靠性,能够在高温环境下长期运行。
5. 具备短路保护功能,提高了系统的安全性。
6. 封装设计支持高效的热量散发,增强了功率处理能力。
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
2. 电动工具和家用电器的电机驱动控制。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. LED驱动器和DC-DC转换器的核心元件。
5. 汽车电子系统中的各种功率管理模块。
6. 电池充电管理系统中的关键功率开关组件。
IRFZ44N, FDP55N06L, AO3400A