时间：2025/5/22 19:35:30
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JSMD130N04N是一种基于MOSFET技术的高压大电流功率场效应晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等场景。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻、高耐压以及快速开关速度的特点。它适用于要求高效能和低损耗的应用场合。
型号：JSMD130N04N
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：40V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：130A
导通电阻(Rds(on))：2.5mΩ(典型值，在Vgs=10V时)
总功耗(Ptot)：260W
结温范围(Tj)：-55°C至+175°C
封装形式：TO-247
JSMD130N04N具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于降低导通损耗并提高效率。
2. 高额定电流能力，能够满足大功率应用需求。
3. 快速开关速度，可有效减少开关损耗。
4. 高雪崩能量承受能力，提高了在异常情况下的可靠性。
5. 热性能优越，支持长时间稳定工作。
6. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代设计中。
JSMD130N04N适合用于多种电力电子应用，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的电机驱动系统。
3. 工业控制中的逆变器和变频器。
4. 大功率LED驱动电路。
5. DC-DC转换器中的功率开关元件。
6. 充电器及适配器内的关键功率器件。
IRFP2907ZPBF, FCH08N50B, STP130NF06L
