时间：2025/7/4 19:16:09
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HH18N270G101CT 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，主要应用于高频开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特性，适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。
这款 MOSFET 的封装形式为 TO-252（DPAK），能够提供良好的散热性能，并且易于在各种 PCB 板上进行安装和焊接。
最大漏源电压：300V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：9.2A
导通电阻：0.18Ω
总功耗：14W
结温范围：-55℃ 至 +150℃
存储温度范围：-55℃ 至 +150℃
HH18N270G101CT 具有以下显著特性：
1. 高击穿电压：该器件的最大漏源电压为 300V，能够在高压环境下稳定工作。
2. 低导通电阻：导通电阻仅为 0.18Ω，在大电流应用中可以减少功率损耗，提高效率。
3. 快速开关性能：由于其优化的电荷设计，开关速度快，减少了开关损耗。
4. 强大的散热能力：TO-252 封装形式提供了良好的散热路径，确保器件在高负载条件下的稳定性。
5. 宽工作温度范围：支持从 -55℃ 到 +150℃ 的结温范围，适应各种恶劣环境。
HH18N270G101CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源：包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器中的高频开关元件。
2. 电机驱动：用于控制小型直流电机或步进电机的启停和调速。
3. 电池保护：在锂电池管理系统中作为充放电控制开关。
4. 照明系统：如 LED 驱动电路中的关键组件。
5. 工业自动化设备：如伺服控制器和其他电力电子装置。
IRF540N
STP16NF06L
FDP18N25C
